[发明专利]开口的填充方法有效
| 申请号： | 201010590432.4 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102543835A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赵超;王文武;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;C23C14/14;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种开口的填充方法，包括：提供半导体衬底，至少具有底层金属连线层和底层金属连线层上方隔离介质层，隔离介质层中具有开口；在开口内和开口外的隔离介质层表面依次形成扩散阻挡层和籽晶层；在开口外的籽晶层表面形成掩膜层；在具有掩膜层的半导体衬底上覆盖金属层，金属层将开口填充。在开口内和开口外的隔离介质层表面依次形成扩散阻挡层和籽晶层，而开口外的籽晶层表面形成有掩膜层，在掩膜层的阻挡作用下，后续在半导体衬底上沉积金属层的过程中，金属层并不是在开口内外的表面上同时沉积，而是先将开口内部填充，然后才沉积在开口外表面，从而能够避免缩颈现象的出现，减小或消除了空洞缺陷产生的概率，提高电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种开口的填充方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，至少具有底层金属连线层和所述底层金属连线层上方隔离介质层，所述隔离介质层中具有开口；在开口内和开口外的隔离介质层表面依次形成扩散阻挡层和籽晶层；在所述开口外的籽晶层表面形成掩膜层；在具有掩膜层的半导体衬底上覆盖金属层，所述金属层将所述开口填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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