[发明专利]一种双向制冷式半导体激光器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010591855.8 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102064465A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘兴胜 | 申请（专利权）人： | 刘兴胜 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人： | 罗永娟 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双向制冷式半导体激光器及其制备方法，该激光器包括正极支撑块、芯片、焊熘突起及负极支撑块。所述正极支撑块与芯片正极焊接；所述负极铜支撑块的一面设有焊熘突起；所述芯片的负极贴在焊熘突起上。本发明采用双面散热结构，芯片正负极均连接有有散热块，芯片通过焊熘突起与负极支撑块连接，因此散热能力大大增强的同时热应力降级，这种增加了散热能力的结构，可显著提高激光输出的功率而不用担心热应力的问题，本发明主要应用于大功率半导体激光器，功率十几瓦到几十瓦。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 制冷 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双向制冷式半导体激光器，包括正极支撑块(1)、负极支撑块(4)以及设置在正极支撑块(1)与负极支撑块(4)之间的芯片(2)，其特征在于：在芯片(2)的一侧或两侧面设置有突起层。
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