[发明专利]MOS结构的存储单元、阵列、存储器及其操作方法无效
| 申请号： | 201010592942.5 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102544012A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;李慧 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/10;H01L21/8242;G11C11/401 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS结构的存储单元、阵列、存储器及其操作方法，属于嵌入式存储器技术领域。该存储单元包括其包括源极、漏极和栅极的MOS晶体管结构，所述MOS晶体管结构的栅介质层为具有阻变存储特性的栅存储介质层。该存储阵列包括多个按行和列排列的该存储单元，该存储器包括该存储阵列。该发明突破性地在MOS晶体管的栅介质层上应用具有阻变存储特性的材料，在使其具有多次可编程存储、非挥发存储特性的同时，其易集成于前端结构中，并易于与32nm高kCMOS逻辑工艺前端兼容。另外，读写操作简单，尤其适合于嵌入式非挥发存储应用。 | ||
| 搜索关键词： | mos 结构 存储 单元 阵列 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元，其特征在于，所述存储单元为包括源极、漏极和栅极的MOS晶体管结构，所述MOS晶体管结构的栅介质层为具有阻变存储特性的栅存储介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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