[发明专利]一种基于SCR的集成电路静电保护器件有效
| 申请号： | 201010593440.4 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102110686A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 代萌;林中瑀 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 宋松 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高维持电压的基于可控硅整流器(SCR)集成电路的静电保护器件，其中的高压器件静电放电保护结构对传统的高压保护器件结构进行改进，在原有的SCR的阳极端下面增加一个N注入区，提高SCR阳极下部的电子浓度。解决了传统的集成电路的静电保护器件维持电压低的问题，通过调整该注入的剂量，降低原有器件的ESD触发电压及提高其维持电压，本发明提升集成电路静电放电保护能力和对闩锁效应的抵御能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 scr 集成电路 静电 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种基于SCR结构的集成电路静电保护器件，包含由P+注入区(1)、P阱(5)、N阱(7)、N+注入区(9)构成的SCR，其特征在于：在所述SCR的阳极端(1)下面增加一个N注入区(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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