[发明专利]静电放电保护装置有效
| 申请号： | 201010594425.1 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102201665A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡铭宪;叶子祯;周淳朴;薛福隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L23/60;H01L27/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电放电保护装置，其包括：第一半导体型态的第一阱，形成在第二半导体型态的基板之中以形成第一二极管。第二半导体型态的第二阱，形成在基板以形成具有第一阱的第二二极管。第一半导体型态的第一多个参杂区域，形成于第一阱的上表面。第二半导体型态的第二多个参杂区域，形成于第一阱的上表面以形成具有第一阱的第三二极管。多个浅沟渠隔离STI区域，设置于第一阱的上表面，每个STI区域设置于第一半导体型态以及第二半导体型态的参杂区域之间。当在第一或第二多参杂区域的一个接收到ESD电压突波时，则第三二极管提供电流旁路。本发明能够最佳化以降低在正常射频操作期间网路匹配的电容影响，并且具有改良的电路布线。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
一种静电放电ESD保护装置，包括：一第一半导体型态的一基板；一第二半导体型态的一第一阱，形成在该基板之中；该第一半导体型态的第一多个侧向间隔的参杂区域，形成于该第一阱的一上表面，该多个侧向间隔的参杂区域耦接一起以定义该ESD保护装置的一阳极；该第二半导体型态的第二多个侧向间隔的参杂区域，形成于该第一阱的该上表面，该第二多个侧向间隔的参杂区域耦接一起以定义该ESD保护装置的一阴极；多个浅沟渠隔离STI区域，设置于该第一阱的一上表面，该多个STI区域的每一个设置于该第一半导体型态的一侧向间隔参杂区域以及该第二半导体型态的一第二侧向间隔参杂区域之间；其中当反向偏压时借由该第一阱与该第二半导体型态的该第二多个侧向间隔的参杂区域所定义的一二极管用于操作成一无源无线电频率电容器，并且当该阳极或该阴极的一端接收一ESD电压突波时，则顺向偏压以提供一电流旁路。
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