[发明专利]制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010604326.7 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102543872A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供前端器件结构，前端器件结构包括衬底、在衬底上的栅介质层、在栅介质层上的伪栅极、以及覆盖栅介质层和伪栅极的刻蚀停止层；在前端器件结构上形成金属前介电层；平坦化金属前介电层至露出刻蚀停止层的上表面；在金属前介电层和刻蚀停止层上形成掩膜层和具有开口图案的光刻胶层，开口图案与伪栅极对齐；以光刻胶层为掩膜对掩膜层进行刻蚀；以刻蚀后的掩膜层为掩膜对刻蚀停止层进行刻蚀，至露出伪栅极的上表面；去除刻蚀后的掩膜层；以及去除伪栅极，以形成填充开口。本发明的方法在制作半导体器件过程中，最终的研磨表面平整，并且改善了刻蚀停止层和金属前介电层的填充能力。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括衬底、在所述衬底上的栅介质层、在所述栅介质层上的伪栅极、以及覆盖所述栅介质层和所述伪栅极的刻蚀停止层；在所述前端器件结构上形成金属前介电层；平坦化所述金属前介电层至露出所述刻蚀停止层的上表面；在所述金属前介电层和所述刻蚀停止层上形成掩膜层和具有开口图案的光刻胶层，所述开口图案与所述伪栅极对齐；以所述光刻胶层为掩膜对所述掩膜层进行刻蚀；以刻蚀后的掩膜层为掩膜对所述刻蚀停止层进行刻蚀，至露出所述伪栅极的上表面；去除所述刻蚀后的掩膜层；以及去除所述伪栅极，以形成填充开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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