[发明专利]用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法有效
| 申请号： | 201010604327.1 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102569082A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 叶好华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法，所述方法包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底，所述半导体衬底中形成有凹槽；通过第一次选择性外延生长在所述凹槽中形成含碳锗硅应力层；以及通过第二次选择性外延生长在所述含碳锗硅应力层上形成无碳锗硅应力层。根据本发明的方法能够有效地抑制SiGe/Si界面处缺陷的产生，从而能够对沟道区施加适当的压应力并防止PN结漏电流增加，进而有效地改善最终形成的PMOS晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 嵌入式 应变 pmos 器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法，所述方法包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底，所述半导体衬底中形成有凹槽；通过第一次选择性外延生长在所述凹槽中形成含碳锗硅应力层；以及通过第二次选择性外延生长在所述含碳锗硅应力层上形成无碳锗硅应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
