[发明专利]一种MOS器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010608073.0 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102130174A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 任铮;周卉;胡少坚;李曦;石艳玲 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS器件结构及其制造方法，这种新的MOS器件结构，通过增加无离子注入区的结构来改变有源区的应力分布，并且该结构对浅槽隔离应力的灵敏度比传统MOS晶体管结构器件要低，有效地减少STI机械应力效应，所以对器件驱动电流、阈值电压和最大跨导的影响更小，改善了MOS器件特性。而且本发明提出的这种新MOS器件的制造方法，融合了MOS器件制造的现有技术，工艺难度降低，工艺费用节省，可广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件结构，其特征在于，包括：MOS晶体管区，包含栅极和源/漏极区，其中栅极设于半导体衬底上方，栅极两侧的源/漏极区设于半导体衬底中；浅沟槽隔离结构，设于半导体衬底中，并位于MOS晶体管区的两侧；无注入离子区，位于源/漏极区和浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底中。
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