[发明专利]一种浅沟槽隔离制作方法

摘要

本发明提供了一种STI制作方法，该方法先在衬底中刻蚀形成的浅沟槽表面生长LO，然后对LO第一掺杂硼元素和第二掺杂氮元素，在LO中靠近衬底区域形成硼离子浓度高出P阱1到2个数量级的第一阻挡层，在第一阻挡层上方形成第二阻挡层，最后在浅沟槽中沉积二氧化硅后CMP且STI退火形成STI。本发明利用第二阻挡层将硼离子封锁在第一阻挡层中以保持第一阻挡层中硼离子的浓度；由于第一阻挡层中硼离子浓度远高于P阱，在后续P阱退火过程中，第一阻挡层能够有效阻挡P阱中的硼离子穿过LO扩散到STI中，保持了P阱中注入的硼离子浓度，避免了硼离子浓度降低引起的阈值电压下降，影响NMOS器件性能。

主权项

一种浅沟槽隔离制作方法，提供具有硅衬底的晶片，所述硅衬底表面依次具有二氧化硅层和氮化硅层；在晶片器件面光刻后，以光刻图案为掩膜依次刻蚀所述氮化硅层、二氧化硅层和硅衬底形成浅沟槽后，其特征在于，该方法还包括：所述浅沟槽表面生长柔性氧化层；对所述柔性氧化层第一掺杂硼元素，在所述柔性氧化层中靠近硅衬底的界面处形成第一阻挡层，所述第一阻挡层中的硼离子浓度大于P阱中硼离子浓度1～2个数量级；对所述柔性氧化层第二掺杂氮元素，在所述柔性氧化层中形成第二阻挡层，所述第二阻挡层位于第一阻挡层上方；晶片器件面沉积二氧化硅，填充所述浅沟槽；化学机械研磨去除部分所述二氧化硅，露出氮化硅层后，晶片退火在所述浅沟槽中形成浅沟槽隔离。