[发明专利]偏移量的生成方法和装置

摘要

本发明公开了一种偏移量的生成方法和装置。该方法包括：根据第一实际位置和第一标准位置，生成顶点偏移量，第一实际位置为第一特征点的实际位置，第一标准位置为第一特征点的标准位置；根据第一实际位置、第二实际位置、第一标准位置和第二标准位置，生成整体偏转角度，第二实际位置为第二特征点的实际位置，第二标准位置为第二特征点的标准位置；根据摆放列数、第一实际位置、第二实际位置、第一标准位置和第二标准位置，生成横向偏移量；根据摆放行数、第一实际位置、第三实际位置、第一标准位置和第三标准位置，生成纵向偏移量，第三实际位置为第三特征点的实际位置，第三标准位置为第三特征点的标准位置。本发明提高了晶片的镀膜效果。

主权项

一种偏移量的生成方法，其特征在于，包括：根据第一实际位置和第一标准位置，生成顶点偏移量，所述第一实际位置为第一特征点的实际位置，所述第一标准位置为第一特征点的标准位置；根据所述第一实际位置、第二实际位置、所述第一标准位置和第二标准位置，生成整体偏转角度，所述第二实际位置为第二特征点的实际位置，所述第二标准位置为第二特征点的标准位置；根据摆放列数、所述第一实际位置、所述第二实际位置、所述第一标准位置和所述第二标准位置，生成横向偏移量；根据摆放行数、所述第一实际位置、第三实际位置、所述第一标准位置和第三标准位置，生成纵向偏移量，所述第三实际位置为第三特征点的实际位置，所述第三标准位置为第三特征点的标准位置。