[发明专利]一种TFT探测基板及其制作方法、X射线探测器有效

专利信息
申请号: 201010612511.0 申请日: 2010-12-29
公开(公告)号: CN102544024A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 郭炜;李禹奉;王路;孙增辉;张航;王珂 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/146;G01N23/04
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种TFT探测基板及其制作方法、X射线探测器,涉及光电技术领域,为能够对生物和环境进行有效保护,且有效降低成本而发明。所述TFT探测基板包括:基板,所述基板上设有栅线层,所述栅线层中包括栅线和与所述栅线连接的TFT栅极,所述栅线层的上方设有数据线层,所述数据线层中包括数据线,TFT源极和TFT漏极,所述TFT漏极与所述数据线相连接,所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域,所述像素区域内设有光电二极管,所述TFT源极与光电二极管相连接,所述栅线层由依次沉积的铝钕金属层和钼金属层所形成;所述数据线层由钼金属层所形成。本发明可用于X射线探测器中。
搜索关键词: 一种 tft 探测 及其 制作方法 射线 探测器
【主权项】:
一种TFT探测基板,包括:基板,所述基板上设有栅线层,所述栅线层中包括栅线和与所述栅线连接的TFT栅极,所述栅线层的上方设有数据线层,所述数据线层中包括数据线,TFT源极和TFT漏极,所述TFT漏极与所述数据线相连接,所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域,所述像素区域内设有光电二极管,所述TFT漏极与光电二极管相连接,其特征在于,所述栅线层由依次沉积的铝钕金属层和钼金属层所形成;所述数据线层由钼金属层所形成。
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