[发明专利]一种TFT探测基板及其制作方法、X射线探测器有效
申请号: | 201010612511.0 | 申请日: | 2010-12-29 |
公开(公告)号: | CN102544024A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 郭炜;李禹奉;王路;孙增辉;张航;王珂 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/146;G01N23/04 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种TFT探测基板及其制作方法、X射线探测器,涉及光电技术领域,为能够对生物和环境进行有效保护,且有效降低成本而发明。所述TFT探测基板包括:基板,所述基板上设有栅线层,所述栅线层中包括栅线和与所述栅线连接的TFT栅极,所述栅线层的上方设有数据线层,所述数据线层中包括数据线,TFT源极和TFT漏极,所述TFT漏极与所述数据线相连接,所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域,所述像素区域内设有光电二极管,所述TFT源极与光电二极管相连接,所述栅线层由依次沉积的铝钕金属层和钼金属层所形成;所述数据线层由钼金属层所形成。本发明可用于X射线探测器中。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft 探测 及其 制作方法 射线 探测器 | ||
【主权项】:
一种TFT探测基板,包括:基板,所述基板上设有栅线层,所述栅线层中包括栅线和与所述栅线连接的TFT栅极,所述栅线层的上方设有数据线层,所述数据线层中包括数据线,TFT源极和TFT漏极,所述TFT漏极与所述数据线相连接,所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域,所述像素区域内设有光电二极管,所述TFT漏极与光电二极管相连接,其特征在于,所述栅线层由依次沉积的铝钕金属层和钼金属层所形成;所述数据线层由钼金属层所形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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