[发明专利]具邻近通信信号输入端的半导体结构及半导体封装结构有效
| 申请号： | 201010613151.6 | 申请日： | 2010-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102148222A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 赖逸少;蔡宗岳;陈明坤;王太平;郑明祥 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/00;H01L23/10;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于具邻近通信信号输入端的半导体结构及半导体封装结构，本发明的半导体结构包括：数个邻近通信信号输入端，设置于该半导体结构的一表面，每一邻近通信信号输入端具有一第一电极及一第二电极，该第一电极显露于该表面，用以与外部组件电性连接，该第二电极与该第一电极间隔一距离，该第二电极与该第一电极形成一电容，以提供电容耦合的邻近通信。本发明的半导体结构及半导体封装结构具有邻近通信的效果，且不会有已知技术必须精准地对位的问题。并且本发明的半导体结构及半导体封装结构的邻近通信的电容值为固定。 | ||
| 搜索关键词： | 邻近 通信 信号 输入 半导体 结构 封装 | ||
【主权项】：
一种具邻近通信信号输入端的半导体结构，包括：数个邻近通信信号输入端，设置于该半导体结构的一表面，每一邻近通信信号输入端具有一第一电极及一第二电极，该第一电极显露于该表面，用以与外部组件电性连接，该第二电极与该第一电极间隔一距离，该第二电极与该第一电极形成一电容，以提供电容耦合的邻近通信。
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