[发明专利]用于隔离的与离散的工艺顺序的整合的方法无效
| 申请号： | 201010613546.6 | 申请日： | 2007-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102148134A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 托尼·P.·江;理查·R.·恩宝;詹姆士·曾 | 申请（专利权）人： | 分子间公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人： | 王昭林;崔华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种组合式处理基板的方法，其包含下列的步骤：在真空下处理包括第一金属层的基板以在所述第一金属层上形成包括位址隔离区域的绝缘层，其中所述处理通过改变所述第一金属层和所述绝缘层之间的尺寸关系而使所述绝缘层相对于所述第一金属层在空间上变化；以及在真空下处理所述基板以在所述绝缘层上形成第二金属层，其中所述第二金属层与所述绝缘层之间具有变化的尺寸关系以定义多个电绝缘的金属-绝缘体-金属(MIM)结构，其中所述MIM结构组合式变化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 隔离 离散 工艺 顺序 整合 方法 | ||
【主权项】：
一种组合式处理基板的方法，其包含下列的步骤：在真空下处理包括第一金属层的基板以在所述第一金属层上形成包括位址隔离区域的绝缘层，其中所述处理通过改变所述第一金属层和所述绝缘层之间的尺寸关系而使所述绝缘层相对于所述第一金属层在空间上变化；以及在真空下处理所述基板以在所述绝缘层上形成第二金属层，其中所述第二金属层与所述绝缘层之间具有变化的尺寸关系以定义多个电绝缘的金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构，其中所述MIM结构组合式变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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