[发明专利]基片镀膜处理系统

摘要

本发明提供了一种基片镀膜处理系统，包括腔体、加热装置、闸阀组件、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪、蒸发源及控制器。腔体依次包括连通并形成基片输送通道的进料腔、初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔、降温腔及出料腔；加热装置分别设于初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔上；闸阀组件包括密封初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔的若干闸阀；基片传动装置分别设于基片输送通道上；抽真空装置连通初始加热腔和降温腔；膜厚检测仪和蒸发源均设于有机镀膜腔和无机镀膜腔上；控制器控制加热装置、闸阀、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪和蒸发源。本发明能集有机和无机蒸镀于一体，且能确保基片镀膜均匀性。

主权项

一种基片镀膜处理系统，其特征在于，包括：腔体，所述腔体依次包括相互连通的且呈中空结构的初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔，所述初始加热腔连接有进料腔，所述降温腔连接有出料腔，所述进料腔、初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔、降温腔及出料腔形成基片输送通道；加热装置，所述加热装置分别设置于所述初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔上；闸阀组件，所述闸阀组件包括若干闸阀，所述闸阀密封所述初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔；基片传动装置，所述基片传动装置设置于所述基片输送通道上；抽真空装置，所述抽真空装置连通所述初始加热腔和降温腔；膜厚检测仪，所述膜厚检测仪分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔上；蒸发源，所述蒸发源分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述基片输送通道下方；以及控制器，所述控制器控制所述加热装置、闸阀、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪和蒸发源。