[发明专利]形成半导体存储器件导线的方法无效
申请号: | 201010614788.7 | 申请日: | 2010-12-30 |
公开(公告)号: | CN102315159A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 禹元植 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;张文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种形成半导体存储器件导线的方法,所述方法包括以下步骤:在基础层之上形成第一多晶硅层;通过将所述第一多晶硅层图案化来形成第一多晶硅图案;使用绝缘层填充所述第一多晶硅图案之间的空间;刻蚀所述第一多晶硅图案的上部以形成凹陷区;在所述凹陷区的侧壁上形成间隔件;使用第二多晶硅层填充所述凹陷区以形成第二多晶硅图案;以及执行金属硅化工艺以使第二多晶硅图案转化为金属硅化物图案。 | ||
搜索关键词: | 形成 半导体 存储 器件 导线 方法 | ||
【主权项】:
一种形成半导体存储器件导线的方法,所述方法包括以下步骤:在基础层之上形成第一多晶硅层;通过将所述第一多晶硅层图案化来形成第一多晶硅图案;使用绝缘层填充所述第一多晶硅图案之间的空间;刻蚀所述第一多晶硅图案的上部以形成凹陷区;在所述凹陷区的侧壁上形成间隔件;使用第二多晶硅层填充所述凹陷区以形成第二多晶硅图案;以及执行硅化工艺以使第二多晶硅图案转化为金属硅化物图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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