[发明专利]形成半导体存储器件导线的方法无效

专利信息
申请号: 201010614788.7 申请日: 2010-12-30
公开(公告)号: CN102315159A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 禹元植 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/3213
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;张文
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种形成半导体存储器件导线的方法,所述方法包括以下步骤:在基础层之上形成第一多晶硅层;通过将所述第一多晶硅层图案化来形成第一多晶硅图案;使用绝缘层填充所述第一多晶硅图案之间的空间;刻蚀所述第一多晶硅图案的上部以形成凹陷区;在所述凹陷区的侧壁上形成间隔件;使用第二多晶硅层填充所述凹陷区以形成第二多晶硅图案;以及执行金属硅化工艺以使第二多晶硅图案转化为金属硅化物图案。
搜索关键词: 形成 半导体 存储 器件 导线 方法
【主权项】:
一种形成半导体存储器件导线的方法,所述方法包括以下步骤:在基础层之上形成第一多晶硅层;通过将所述第一多晶硅层图案化来形成第一多晶硅图案;使用绝缘层填充所述第一多晶硅图案之间的空间;刻蚀所述第一多晶硅图案的上部以形成凹陷区;在所述凹陷区的侧壁上形成间隔件;使用第二多晶硅层填充所述凹陷区以形成第二多晶硅图案;以及执行硅化工艺以使第二多晶硅图案转化为金属硅化物图案。
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