[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 201010616264.1 | 申请日: | 2010-12-30 |
公开(公告)号: | CN102543911A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 刘君恺;刘汉诚;戴明吉;谭瑞敏 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体装置,其包括一硅基板、多个硅纳米线束、一第一线路层以及一第二线路层。硅基板具有相对的一第一表面与一第二表面及多个贯孔。这些硅纳米线束分别配置于硅基板上的贯孔。第一线路层配置于第一表面并电连接硅纳米线束。第二线路层配置于第二表面并电连接硅纳米线束。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:第一硅基板,具有相对的一第一表面与一第二表面及多个贯孔;多个硅纳米线束,分别配置于该些贯孔;第一线路层,配置于该第一表面并电连接该些硅纳米线束;以及第二线路层,配置于该第二表面并电连接该些硅纳米线束。
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