[发明专利]渐逝波激发半导体量子点光纤放大器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010616555.0 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102096272A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 庞拂飞;刘伦刚;邢洁雯;郭海润;王廷云;曾祥龙 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G02F1/39 | 分类号： | G02F1/39;G02B6/02 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明述及一种渐逝波激发半导体量子点光纤放大器及其制备方法。它包括一个泵浦光源、一个信号光源、一个波分复用器和一个光纤放大器，所述泵浦光源和信号光源分别通过光纤连接波分复用器的两个输入端，波分复用器的输出端连接光纤放大器的输入端。所述光纤放大器是一段锥形光纤，该锥形光纤表面涂覆一层半导体量子点薄膜，所述的量子点薄膜材料折射率低于锥形光纤的材料折射率，从而使在锥形光纤中传输的光波能通过渐逝波激发半导体量子点薄膜层释放出光子，实现信号光放大。本发明制备方法简单，且实现了宽光谱，价格低，体积小，能广泛应用于长距离、大容量、高速率的通信系统，接入网，光纤CATV网，FTTH和光纤传感的光信号放大等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 渐逝波 激发 半导体 量子 光纤 放大器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种渐逝波激发半导体量子点光纤放大器，包括一个泵浦光源（1）、一个信号光源（2）、一个波分复用器（3）和一个光纤放大器（4），所述泵浦光源（1）和信号光源（2）分别通过光纤连接波分复用器（3）的两个输入端，波分复用器（3）的输出端连接光纤放大器（4）的输入端，其特征在于：所述光纤放大器（4）是一段锥形光纤（5），该锥形光纤（5）表面涂覆一层半导体量子点薄膜层（6），所述的量子点薄膜层（6）材料折射率低于锥形光纤（5）的材料折射率，从而使在锥形光纤（5）中传输的光波能通过渐逝波激发半导体量子点薄膜层（6）释放出光子，实现信号光放大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010616555.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括具有内隔膜的蜂巢构件的噪声吸收结构
- 下一篇：增压器及船舶
