[发明专利]半导体沟渠与双沟渠的制造方法及用以隔离元件的结构

摘要

本发明是有关于一种半导体沟渠与双沟渠的制造方法及用以隔离元件的结构，上述用以隔离元件的结构配置于具有周边区及阵列区的基底中。上述用以隔离元件的结构包括第一隔离结构及第二隔离结构。第一隔离结构具有至少三阶的剖面且位于周边区的基底中。第二隔离结构具有至少二阶的剖面且位于阵列区的基底中。

主权项

一种半导体沟渠的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一周边区及一阵列区；在该基底上形成一罩幕层，该罩幕层具有曝露该周边区的该基底的一第一开口及曝露该阵列区的该基底的一第二开口；在该第一开口的侧壁形成一第一间隙壁；以该罩幕层及该第一间隙壁为罩幕，在该周边区的该基底中形成一凹陷；在该第二开口的侧壁形成一第二间隙壁，并移除部分该第一间隙壁以曝露出该凹陷的顶角；以及以该罩幕层、该第一间隙壁及该第二间隙壁为罩幕，移除部分该基底，以在该周边区的该基底中形成一第一沟渠以及在该阵列区的该基底中形成一第二沟渠。