[发明专利]一种用于曝光机对准的光罩及光罩对准标记制作方法无效
申请号: | 201010621803.0 | 申请日: | 2010-12-27 |
公开(公告)号: | CN102566255A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 戴新华;徐国刚;赵志敏;马玉玲 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于曝光机对准的光罩及光罩对准标记制作方法,用以解决现有技术中由于光罩更换过程中由于光罩对准不准确,影响曝光产品的精度的问题。该光罩包括第一组对准标记,第二组对准标记和第三组对准标记中的至少两组,每组对准标记位于经过光罩中心点的横轴和纵轴上。由于在本发明实施例中该用于曝光机台校准的光罩包括至少两组对准标记,因此扩大了采用该光罩进行对准的曝光机台的范围,减小了在每次曝光过程中更换光罩的可能性,从而降低了曝光过程中产生的误差,提高了曝光产品的精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 曝光 对准 标记 制作方法 | ||
【主权项】:
一种用于曝光机对准的光罩,其特征在于,所述光罩包括:第一组对准标记,第二组对准标记和第三组对准标记中的至少两组,其中,所述第一组对准标记包括Rx1、Ry1和Rθ1,其中Rx1位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴,并且距离所述中心点54毫米,Ry1位于经过所述光罩中心点的横轴的负半轴,距离所述中心点53毫米,Rθ1位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴,距离所述中心点53毫米,所述第二组对准标记包括Rx2、Ry2和Rθ2,其中Rx2位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴,并且距离所述中心点52毫米,Ry2位于经过所述光罩中心点的横轴的负半轴,距离所述中心点43毫米,Rθ2位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴,距离所述中心点43毫米,所述第三组对准标记包括Rx3、Ry2、X和Y,其中Rx3位于经过所述光罩中心点的纵轴的正半轴,并且距离所述中心点52毫米,X位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴,距离所述中心点50毫米,Y位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴,距离所述中心点40.5毫米。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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