[发明专利]一种GaN基发光二极管的制作方法

摘要

一种GaN基发光二极管的制作方法，涉及光电技术领域。本发明方法步骤为：①在蓝宝石衬底上外延发光结构；②研磨减薄蓝宝石衬底；③在氮化镓层表面蒸镀ITO薄膜；④刻蚀出N型电极区域；⑤蒸镀SiO2钝化层；⑥蒸镀金属电极；⑦刻蚀切割道；⑧在蓝宝石衬底底面进行激光划片；⑨将蓝宝石衬底的底面向上放置于ICP设备中，进行ICP刻蚀，清除熔渣碎屑；⑩最后进行裂片，形成单个发光二极管芯片。同现有技术相比，本发明采取先研磨后做电极的工艺流程，可以有效提高发光二极管的亮度。

主权项

一种GaN基发光二极管的制作方法，它的方法步骤为：①在蓝宝石衬底(1)上外延氮化镓层(2)，氮化镓层(2)包含N‑GaN层、有源层和P‑GaN层；②研磨减薄蓝宝石衬底(1)；③在氮化镓层(2)表面采用电子束蒸发设备蒸镀ITO薄膜(3)；④在器件表面涂胶、曝光和显影形成掩蔽层，用ITO刻蚀液刻蚀出N型电极区域的ITO，然后采用ICP设备刻蚀出N型电极区域(4)，去除光刻胶，在N2气氛中退火；⑤用PECVD蒸镀SiO2钝化层(5)；⑥在器件表面涂胶、曝光和显影形成掩蔽层，用BOE腐蚀SiO2钝化层(5)，用电子束蒸发设备蒸镀金属电极，剥离去胶，形成P‑GaN层上的金属电极一(6)与N‑GaN上的金属电极二(7)，然后在N2气氛中退火；⑦在器件上表面涂胶、曝光和显影形成掩蔽层，用ICP刻蚀工艺刻蚀切割道，露出蓝宝石衬底(1)的部分上表面；⑧在蓝宝石衬底(1)底面进行激光划片，产生熔渣碎屑(8)；⑨将蓝宝石衬底(1)的底面向上放置于ICP设备中，进行ICP刻蚀，清除熔渣碎屑(8)；⑩最后进行裂片，形成单个发光二极管芯片。