[发明专利]用于向共源极线施加独立的偏置电压的半导体装置

摘要

本发明提供了一种用于向共源极线施加独立的偏置电压的半导体装置。所述半导体装置包括：基底；单元晶体管，以单元矩阵形状排列在所述基底上并被构造为具有栅极绝缘图案、栅电极、共源极区、漏极区和沟道区。字线被构造为将所述栅电极彼此电互连。共源极线仅在一对相邻的字线之间共享，并被构造为将所述共源极区彼此电互连。漏极金属接触件和源极金属接触件以直线布置在所述漏极区上。位线电连接到所述漏极金属接触件。杂质区被构造为控制所述沟道区的阈值电压。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；单元晶体管，以单元矩阵形状排列在所述基底上，并包括栅极绝缘图案、栅电极、共源极区、漏极区和沟道区；字线，被构造为将所述栅电极彼此电互连；共源极线，每个共源极线仅在一对相邻的字线之间共享，并被构造为将所述共源极区彼此电互连；漏极金属接触件和源极金属接触件，以直线布置在所述漏极区上；位线，电连接到所述漏极金属接触件；杂质区，被构造为控制所述沟道区的阈值电压，其中，所述沟道区将所述共源极线连接到所述源极金属接触件，对于所述共源极线中的各条共源极线，所述杂质区设置在所述沟道区的连接到所述一对相邻的字线中的一条字线的一部分上，使得所述共源极线中的相应一条共源极线与所述一对相邻的字线中的另一条字线电隔离。