[发明专利]半导体存储器器件及其制造方法

摘要

一种半导体存储器器件及其制造方法。该半导体存储器器件包括：被置于半导体衬底上的第一导电型阱和第二导电型阱；分别被置于第一导电型阱和第二导电型阱上的第一栅极和第二栅极；被置于第一导电型阱中且位于第一栅极的一侧的第二导电型第一离子注入区和被置于第一导电型阱中且位于第一栅极的另一侧的第二导电型第二离子注入区；被置于第二导电型阱中且位于第二栅极的一侧的第一导电型第一离子注入区和被置于第二导电型阱中且位于第二栅极的另一侧的第一导电型第二离子注入区；以及电连接第二导电型第二离子注入区与第一导电型第一离子注入区的电线。该半导体存储器器件能够在低电压环境中稳定操作且将单元尺寸与外围电路区的尺寸最小化。

主权项

一种半导体存储器器件，包括：第一导电型阱和第二导电型阱，被置于半导体衬底上；第一栅极和第二栅极，分别被置于所述第一导电型阱和所述第二导电型阱上；第二导电型第一离子注入区和第二导电型第二离子注入区，所述第二导电型第一离子注入区被置于所述第一导电型阱中且位于所述第一栅极的一侧，所述第二导电型第二离子注入区被置于所述第一导电型阱中且位于所述第一栅极的另一侧；第一导电型第一离子注入区和第一导电型第二离子注入区，所述第一导电型第一离子注入区被置于所述第二导电型阱中且位于所述第二栅极的一侧，所述第一导电型第二离子注入区被置于所述第二导电型阱中且位于所述第二栅极的另一侧；以及电线，电连接所述第二导电型第二离子注入区与所述第一导电型第一离子注入区；其中，所述第一导电型阱、所述第一栅极、所述第二导电型第一离子注入区和第二导电型第二离子注入区构成第二导电型选择晶体管；以及所述第二导电型阱、所述第二栅极、所述第一导电型第一离子注入区和第一导电型第二离子注入区构成第一导电型浮置晶体管。