[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201019063035.9 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101807605A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈乐乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：具有沟道区的衬底，所述衬底包括硅衬底和位于所述硅衬底上的硅锗层；位于所述沟道区之上的栅极结构，所述栅极结构包括栅介电层和栅电极；形成于所述栅极结构两侧的侧墙；形成于衬底中，位于所述沟道区两侧的源/漏区，所述源/漏区包括轻掺杂源/漏区和重掺杂源/漏区；所述硅锗层内，从与所述硅衬底相邻的面到与所述栅极结构相邻的面间，其锗的组分百分比从高到低依次递减。本发明的半导体器件相较于现有技术的半导体器件可更好的抑制热载流子注入效应，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：具有沟道区的衬底，所述衬底包括硅衬底和位于所述硅衬底上的硅锗层；位于所述沟道区之上的栅极结构，所述栅极结构包括栅介电层和栅电极；形成于所述栅极结构两侧的侧墙；形成于衬底中，位于所述沟道区两侧的源/漏区，所述源/漏区包括轻掺杂源/漏区和重掺杂源/漏区；所述硅锗层内，从与所述硅衬底相邻的面到与所述栅极结构相邻的面间，其锗的组分百分比从高到低依次递减。
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