[发明专利]IZAO透明导电膜的制造方法无效
| 申请号： | 201019164051.7 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102140623A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 曾鸿斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市海森应用材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 深圳市睿智专利事务所 44209 | 代理人： | 陈鸿荫;郭文姬 |
| 地址： | 518108 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种IZAO透明导电膜的制造方法，采用双阴极直流磁控同时溅射In2O3靶和ZAO靶，形成锌铝掺杂的IZAO膜；所述ZAO靶是在ZnO中掺杂Al2O3形成的陶瓷靶材，其中ZAO靶中Al2O3掺杂的重量比是2-4％，在双阴极靶溅射时，改变In2O3靶和ZAO靶的直流输入功率以改变IZAO膜的Al2O3掺杂比例。同现有技术相比较，本发明的技术效果在于：解决高低温成膜电阻率相差大的问题，通过使用本发明方法制成的IZAO透明导电膜是非晶结构，改善了导电膜表面平滑度，减小了由于结晶晶界引起的光散射，展宽了光学能隙，改善了蓝光波段的透过率。 | ||
| 搜索关键词： | izao 透明 导电 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种IZAO透明导电膜的制造方法，其特征在于：采用双阴极直流磁控同时溅射In2O3靶和ZAO靶，形成锌铝掺杂的IZAO膜；所述ZAO靶是在ZnO中掺杂Al2O3形成的陶瓷靶材，其中ZAO靶中Al2O3掺杂的重量比是2‑4％，在双阴极靶溅射时，改变In2O3靶和ZAO靶的直流输入功率以改变IZAO膜的ZAO掺杂比例。
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