[实用新型]高功率发光二极管封装基板无效
| 申请号： | 201020112522.8 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN201638844U | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 林宸纬;廖嘉佑 | 申请（专利权）人： | 翔昇电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种高功率发光二极管封装基板，所述高功率发光二极管封装基板具有导热基板，导热基板表面设置有电路层，并在导热基板表面连接有高功率的发光二极管晶片，且发光二极管晶片与电路层呈电气连接，并在导热基板表面填充出包覆发光二极管晶片以及发光二极管晶片与电路层电气连接处的封装层，使导热基板可直接导出发光二极管晶片所产生的废热，且导热基板可不受封装层热阻的影响，直接通过与外界热交换将废热散去。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 发光二极管 封装 | ||
【主权项】：
一种高功率发光二极管封装基板，所述封装基板具有导热基板，而所述导热基板表面设置有电路层，其特征在于：所述导热基板表面连接有高功率的发光二极管晶片，且所述发光二极管晶片与所述电路层呈电气连接，并在所述导热基板表面填充出包覆所述发光二极管晶片以及所述发光二极管晶片与所述电路层电气连接处的封装层。
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