[实用新型]一种压阻传感器芯片有效
申请号: | 201020166949.6 | 申请日: | 2010-04-22 |
公开(公告)号: | CN201716135U | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 沈绍群;王树娟;周刚;陈会林 | 申请(专利权)人: | 无锡市纳微电子有限公司 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顾朝瑞 |
地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种压阻传感器芯片。其生产方便、成本低,且成品率高、精确度高。其包括压力膜层、基底、力敏电阻、金属引线,所述力敏电阻、金属引线安装于所述压力膜层的上表面,所述基底装于所述压力膜层的下表面,其特征在于:所述基底具体为衬底硅,所述压力膜层包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层,所述底层的多晶硅膜下表面装于所述衬底硅的上表面。 | ||
搜索关键词: | 一种 传感器 芯片 | ||
【主权项】:
一种压阻传感器芯片,其包括压力膜层、基底、力敏电阻、金属引线,所述力敏电阻、金属引线安装于所述压力膜层的上表面,所述基底装于所述压力膜层的下表面,其特征在于:所述基底具体为衬底硅,所述压力膜层包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层,所述底层的多晶硅膜下表面装于所述衬底硅的上表面。
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