[实用新型]横向扩散金属氧化物半导体结构无效
| 申请号： | 201020289701.9 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN201732791U | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 余荣伟 | 申请（专利权）人： | 四川和芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种横向扩散金属氧化物半导体结构，其包括一栅极、一源极、一漏极及一衬底，所述栅极包括一多晶硅层，所述源极包括一P注入层，所述漏极包括所述P注入层、一P阱层及一深注入P阱层，一衬底连接端通过所述P注入层、所述P阱层、所述深注入P阱层及一P型埋层连接所述衬底。该结构在现有工艺上无须增加任何掩摸步骤即可制作出来，且结构紧密、导通电阻低、能承受大电流和大电压。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体结构，其包括一栅极、一源极、一漏极及一衬底，其特征在于：所述栅极包括一多晶硅层，所述源极包括一P注入层，所述漏极包括所述P注入层、一P阱层及一深注入P阱层，一衬底连接端通过所述P注入层、所述P阱层、所述深注入P阱层及一P型埋层连接所述衬底。
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