[实用新型]单层引线框架整流器无效
| 申请号： | 201020522079.1 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN201788968U | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 俞建;赵强;李治刿;李驰明;范德忠;魏广乾 | 申请（专利权）人： | 四川太晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/06;H01L29/417;H01L23/495 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体整流器。本实用新型针对现有技术整流器厚度大不利于小型化的缺点，公开了一种采用平面PN结结构的整流器，降低整流器管芯厚度，提高器件的小型化水平并改善芯片散热效果。本实用新型的技术方案是，单层引线框架整流器，包括引线框架，电极、4只芯片和基片，每只芯片包括相交的P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和N型半导体分别通过电极与引线框架连接，4只芯片连接成桥式整流电路，其特征在于，每只芯片中P型半导体和N型半导体均位于芯片正面，4只芯片正面朝上，所有电极位于芯片正面并与引线框架连接，4只芯片背面位于同一平面并直接与基片相连。本实用新型特别适合制造表面贴装器件。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 引线 框架 整流器 | ||
【主权项】：
单层引线框架整流器，包括引线框架，电极、4只芯片和基片，每只芯片包括相交的P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和N型半导体分别通过电极与引线框架连接，4只芯片连接成桥式整流电路，其特征在于，每只芯片中P型半导体和N型半导体均位于芯片正面，4只芯片正面朝上，所有电极位于芯片正面并与引线框架连接，4只芯片背面位于同一平面并直接与基片相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川太晶微电子有限公司，未经四川太晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020522079.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜状电连接体及其制造方法
- 下一篇：多播单频网子帧资源配置同步方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
