[实用新型]晶片清洗设备无效
申请号: | 201020541339.X | 申请日: | 2010-09-25 |
公开(公告)号: | CN201956323U | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 王敬;翟志华 | 申请(专利权)人: | 王敬;江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B3/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 贾玉 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶片清洗设备,包括:清洗室;与清洗室相邻设置的干燥装置;以及贯穿清洗室设置的传输部,所述清洗室进一步包括:分别位于所述清洗室两端的、用于运入和运出所述待清洗晶片的进料口和出料口;设置于进料口的第一去离子水冲洗区;相邻设置于第一去离子水冲洗区的清洗液洗涤区;以及设置于所述出料口附近的第二去离子水冲洗区,其中第二去离子水冲洗区的出水管路与第一去离子水冲洗区的进水管路通过管路连接,从而将所述第二去离子水冲洗区的冲洗后液回收并用于所述第一去离子水冲洗区进行所述第一阶段冲洗。根据本实用新型的晶片清洗设备,可以在保证清洗效果的同时大幅地降低去离子水的使用量,节约资源和成本。 | ||
搜索关键词: | 晶片 清洗 设备 | ||
【主权项】:
一种晶片清洗设备,其特征在于,包括:清洗室;干燥装置,所述干燥装置与所述清洗室相邻设置且位于所述清洗室的下游,用于对清洗后的晶片进行干燥;以及传输部,所述传输部贯穿设置于所述清洗室内,用于将待清洗的晶片传输至所述清洗室并在清洗室内传输晶片,其中所述清洗室包括:分别设置于所述清洗室两端的、用于运入和运出所述待清洗晶片的进料口和出料口;第一去离子水冲洗区,所述第一去离子水冲洗区设置于所述进料口附近且具有第一进水管路以及第一出水管路,用于对刚被输送进所述清洗室的晶片进行第一阶段冲洗;清洗液洗涤区,所述清洗液洗涤区位于所述第一去离子水冲洗区的下游并与其相邻设置且具有进液管路以及出液管路,用于对晶片进行清洗液洗涤;以及第二去离子水冲洗区,所述第二去离子水冲洗区设置于所述出料口附近且具有第二进水管路以及第二出水管路,用于对晶片进行第二阶段冲洗,其中所述第二出水管路与所述第一进水管路之间通过管路连接,从而将所述第二去离子水冲洗区的冲洗后液回收并用于所述第一去离子水冲洗区进行所述第一阶段冲洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造