[实用新型]瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构有效
| 申请号： | 201020567634.2 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN201985106U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 袁德成;张意远;俞栋梁;郭银银 | 申请（专利权）人： | 上海美高森美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/28;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 31235 | 代理人： | 周志宏 |
| 地址： | 201108 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构，包括有：由中间层单晶硅本体、依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体、台面、上电极金属层、下电极金属层；所述由中间层单晶硅体与上掺杂层构成的上台面上依次层叠有多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层组成的上复合内钝化层，也可以同时设有由中间层单晶硅体与下掺杂层构成下复合内钝化层的双向复合内钝化层。本实用新型具有以下优点：以多晶硅膜作为氮化硅膜的粘附层，再覆盖上特殊的玻璃钝化材料，最后在器件的电极引出端两面用真空离子蒸发或真空溅射镀膜形成金属层，从而确保了后工序封装的质量、以及使用过程中的高稳定性和高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制 二极管 复合 钝化 结构 | ||
【主权项】：
一种瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构，包括有由中间层单晶硅本体、依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体、台面、上电极金属层、下电极金属层，其特征在于，所述由中间层单晶硅体与上掺杂层构成的上台面上依次层叠有多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层组成的上复合内钝化层；所述上电极金属层位于芯片体上复合多层钝化区的中间，下电极金属层位于下掺杂层的外侧。
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