[实用新型]用于低功耗VLSI的PN混合下拉网络多米诺异或门无效

专利信息
申请号: 201020574325.8 申请日: 2010-10-15
公开(公告)号: CN201854266U 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 汪金辉;吴武臣;侯立刚;宫娜;耿淑琴;张旺;袁颖 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H03K19/21 分类号: H03K19/21
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 魏聿珠
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及一种用于低功耗VLSI的PN混合下拉网络多米诺异或门,混合下拉网络中的两个NMOS管,每个管的一端接PMOS管,每个管的另一端接动态结点,两个PMOS管另一端接时钟管;或是混合下拉网络中的两个PMOS管,每个管的一端接NMOS管,每个管的另一端接动态结点,NMOS管另一端接时钟管;PN混合型下拉网络多米诺异或门中,所有PMOS管的衬底接电源电压,所有NMOS管的衬底接地电压。新型异或门具有以下三个优点:一是由于新型异或门不需要采用反相器提供反向输入信号,因此消除了反相器对功耗和信号偏差的影响,实现了低功耗高性能逻辑门的设计;二是由于采用了PN混合下拉网络结构,新型异或门既具有N型多米诺异或门速度快的优点,又具有P型多米诺异或门漏功耗低的优点;三是由于省去了输入反相器,从而节约了版图面积。
搜索关键词: 用于 功耗 vlsi pn 混合 下拉 网络 多米诺异
【主权项】:
用于低功耗VLSI的PN混合下拉网络多米诺异或门,包括输入信号端,输出信号端,时钟信号端,预充管,保持管,时钟管,输出静态反相器和混合下拉网络;其特征在于:混合下拉网络中的两个NMOS管,每个管的一端接PMOS管,每个管的另一端接动态结点,两个PMOS管另一端接时钟管;或是混合下拉网络中的两个PMOS管,每个管的一端接NMOS管,每个管的另一端接动态结点,NMOS管另一端接时钟管;PN混合型下拉网络多米诺异或门中,所有PMOS管的衬底接电源电压,所有NMOS管的衬底接地电压。
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