[实用新型]半导体基板有效
| 申请号： | 201020593946.0 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN201985109U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 吴孟修;陈永芳;戴煜暐 | 申请（专利权）人： | 新日光能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/18;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型的一种半导体基板，其包括一基板；至少一半导体层，设置在基板上；一第一抗反射层，设置在半导体层上；以及一第二抗反射层，设置在第一抗反射层上，且第二抗反射层为不连续层，其具有光子转换效应。基板的第二抗反射层的材质可将射入第二抗反射层光线的波长转换为运用在半导体层的光电转换效率较佳的长波长，以提升入射光线的利用率，而有效地提高整体光电转换的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，其特征在于，其包括：一基板；至少一半导体层，设置在所述基板上；一第一抗反射层，设置在所述半导体层上；以及一第二抗反射层，设置在所述第一抗反射层上，且所述第二抗反射层为不连续层，其具有光子转换效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
