[实用新型]导电膜的制备设备

摘要

本实用新型实施例公开了一种导电膜的制备设备，涉及真空镀膜技术领域，解决了现有技术中制备导电膜附着力较低和高频信号能量损耗较大的问题。本实用新型实施例在上载缓冲密封室内设有加热装置，用于对经过清洗和烘干后的基片进行真空状态下的加热除气；在离子束刻蚀密封室利用离子束对加热除气后的基片进行离子束刻蚀；在磁控溅射镀膜密封室内利用所述磁控溅射靶在经过离子束刻蚀后的基片上镀制活性原子金属层，并利用所述磁控溅射靶在基片上镀有活性原子金属层的区域镀制导电金属层。本实用新型实施例主要用于PCB的导电膜制备。

主权项

一种导电膜的制备设备，其特征在于，包括：依次连接的上载缓冲密封室、离子束刻蚀密封室和磁控溅射镀膜密封室，并且在相邻两个密封室之间采用门阀进行密封隔离；真空泵系统，用于对密封室抽真空；其中，所述上载缓冲密封室对经过清洗和烘干后的基片进行真空状态下的除气；所述离子束刻蚀密封室利用离子束对除气后的基片进行离子束刻蚀；所述磁控溅射镀膜密封室利用磁控溅射靶在经过离子束刻蚀后的基片上镀制活性原子金属层，并利用磁控溅射靶在所述活性原子金属层上镀制导电金属层。