[实用新型]一种光电二极管芯片无效
| 申请号： | 201020627064.1 | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN201853726U | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 卢伯崇;吕汉夫;郑富刚;曹均凯 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及通信传输领域，尤其涉及一种光电二极管芯片。所述光电二极管芯片包括一个高阻材料做成的衬底；所述光电二极管芯片的N型重掺杂外延层生长在所述衬底的一个表面上；所述光电二极管芯片的N电极从所述N型重掺杂外延层引出，所述光电二极管从所述光电二极管的扩散区引出；所述N电极和P电极彼此分离，并且都延伸至所述表面的同一条边上。本实用新型提供的光电二极管芯片，由于其N电极和P电极位于同一个面上，在装配时无需过渡载体，大大缩小了封装的体积，便于小型化封装的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种光电二极管芯片，其特征在于，所述光电二极管芯片包括一个高阻材料做成的衬底；所述光电二极管芯片的N型重掺杂外延层生长在所述衬底的一个表面上；所述光电二极管芯片的N电极从所述N型重掺杂外延层引出，所述光电二极管从所述光电二极管的扩散区引出；所述N电极和P电极彼此分离，并且都延伸至所述表面的同一条边上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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