[实用新型]降低高频损耗的高频晶体管无效
| 申请号： | 201020672526.1 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN201994301U | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘翠莲 | 申请（专利权）人： | 深圳市安晶半导体电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L29/43 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种降低高频损耗的高频晶体管，包括外延片，其特征在于，所述外延片背面设有背金层，所述背金层包括金属Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层，所述由Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层所形成的背金层的总厚度为1±0.17μm，所述外延片与背金层总厚度小于120微米，本实用新型经超减薄后采用五层金属依次溅射在外延片背面，在构成外延片的Si(硅)层、Pt(铂)层、Ni(镍)层、Cr(铬)层、W(钨)层、Au(金)层中，相邻层材料之间具有良好的匹配性，可以相互之间的接触电阻达到最小，最终导致整体的接触电阻都较小，提高了高频特性，本实用新型应用在微电子电路中，能耗低，寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 高频 损耗 晶体管 | ||
【主权项】：
一种降低高频损耗的高频晶体管，包括外延片，其特征在于：所述外延片(1)背面设有背金层，所述背金层包括Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层。
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