[实用新型]3D眼镜模拟开关驱动电路有效

专利信息
申请号: 201020682468.0 申请日: 2010-12-27
公开(公告)号: CN201904771U 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 于大超;郄勇;李卫国;叶鑫 申请(专利权)人: 潍坊歌尔科技有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 陈英俊
地址: 261031 山东省潍坊市奎文区(潍坊出口加工区)玉清东街以*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型提供了一种模拟开关驱动电路,包括至少一个驱动电路单元,所述驱动电路单元包括场效应晶体管和两个电阻,场效应晶体管的漏极和源极之间反向并联了一个二极管;在场效应晶体管为NMOS管时,其中一个电阻与栅极相连接地,另一个电阻与漏极相连,NMOS管的源极和衬底接地;并且,在NMOS管的栅极和漏极之间还并联连接有一ESD管;在场效应晶体管为PMOS管时,其中一个电阻连接在PMOS管的栅极和源极之间,另一个电阻与源极相连接地,PMOS管的源极和衬底相连。利用上述驱动电路,可以在保障3D眼镜产品需求的前提下,选用常用的逻辑转换芯片作为控制3D眼镜左右镜片交替打开和闭合的模拟开关,从而使作为模拟开关的芯片选择范围扩大、成本降低并且功耗降低。
搜索关键词: 眼镜 模拟 开关 驱动 电路
【主权项】:
一种模拟开关驱动电路,其特征在于,该模拟开关驱动电路包括至少一个驱动电路单元,所述驱动电路单元包括场效应晶体管和两个电阻,其中,在所述场效应晶体管为NMOS型场效应晶体管时,其中一个电阻与所述NMOS型场效应晶体管的栅极相连接地,另一个电阻与所述NMOS型场效应晶体管的漏极相连,所述NMOS型场效应晶体管的源极和衬底接地;并且,在所述NMOS型场效应晶体管的栅极和漏极之间还并联连接有一ESD管,在漏极和源极之间反向并联了一个二极管;在所述场效应晶体管为PMOS型场效应晶体管时,其中一个电阻连接在所述PMOS型场效应晶体管的栅极和源极之间,另一个电阻与所述PMOS型场效应晶体管的源极相连接地,所述PMOS型场效应晶体管的源极和衬底相连;并且,在所述PMOS型场效应晶体管的漏极和源极之间反向并联了一个二极管。
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