[实用新型]减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构无效
| 申请号： | 201020686543.0 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN202034154U | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杭晓伟;彭秋平;张祯;江石根;谢卫国 | 申请（专利权）人： | 苏州华芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C13/00 | 分类号： | H01C13/00;H01C1/14 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 孙东风 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，在电阻弯曲布置于芯片上时，其弯折处形成有第一弯折区，第二弯折区，以及形成于第一弯折区和第二弯折区间的弯折相间区；该弯折相间区的面积大于或等于0.5个方块，所述第一弯折区和第二弯折区的面积为0.56个方块，且电阻的两电阻头延伸至电阻的弯折阵列之外。本实用新型的电阻结构在不改变芯片上电阻制作工艺的条件下，有效地减少制造过程中对弯曲电阻阻值的影响，且可靠性高，能合理利用芯片的面积且所占的芯片面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 制作 工艺 弯曲 电阻 阻值 影响 结构 | ||
【主权项】：
一种减小制作工艺对弯曲电阻阻值影响的电阻结构，其特征在于：在电阻弯曲布置于芯片上时，其弯折处形成有第一弯折区，第二弯折区，以及形成于第一弯折区和第二弯折区间的弯折相间区；该弯折相间区的面积大于或等于0.5个方块。
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