[发明专利]发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080001392.3 | 申请日： | 2010-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102334384A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 矢田修平 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/22 | 分类号： | H05B33/22;H01L51/50;H05B33/10;H05B33/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;徐健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在发光装置的显示面板(10)中，在平坦化膜(103)中的子像素(11a)的下部电极层(110)与子像素(11b)的下部电极层(110)之间设置有凹部(103a)。平坦化膜(103)中的凹部(103a)比平坦化膜(103)的其他部分的上面下沉，在凹部(103)的上面形成有与半导体性中间层(121a)同一材料的凹部内形成层(121b)。并且，与形成在平坦化膜(103)的凹部(103a)的上面的半导体性中间膜同一材料的凹部内形成层(121b)的端部的膜厚(t2)比其中央部的膜厚(t1)薄。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光装置，具备：平坦化膜，形成在基板的上方、具有凹部；第一下部电极层，形成在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外；第二下部电极层，在所述平坦化膜上所述凹部的形成区域外隔着所述凹部与所述第一下部电极层相邻而形成；半导体性中间层，形成在所述第一下部电极层和所述第二下部电极层的上方；以及隔壁，形成为覆盖所述第一下部电极层的端部、与所述第一下部电极层相邻的所述第二下部电极层的端部以及所述平坦化膜的凹部，所述平坦化膜的凹部在所述第一下部电极层与所述第二下部电极层之间比所述平坦化膜的其他部分的上面下沉，在所述平坦化膜的凹部的上面形成有与所述半导体性中间层同一材料的层，形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的端部的膜厚比形成在所述平坦化膜的凹部的上面的、与所述半导体性中间层同一材料的层的中央部的膜厚薄。
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