[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201080001799.6 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102057437A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 蓝原智之;白滨政则;山上由展;车田希总;铃木利一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C11/4074;G11C11/41;G11C11/418;H01L21/8244;H01L27/11;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置，具备：被配置在字线与位线的交点的存储器单元(100)、与位线连接的预充电电路(101)、由写入控制信号控制的列选择电路(102)、和作为写入电路而设置的箝位电路(103A)。箝位电路(103A)具有：将被选择的位线的电位控制在第一电位(例如0V)的晶体管(QN17)、和将该被选择的位线的电位控制在比第一电位低的第二电位(例如负电位)的可变电容元件(C11)。由于采用了可变电容元件(C11)，所以在电源电压变高的情况下，基于元件电容减少，来抑制从第一电位向第二电位的下降量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，具有：第一字线、第一位线对、与所述第一字线以及所述第一位线对连接的第一存储器单元、选择所述第一位线对中的任意一个位线的第一选择电路、和经由所述第一选择电路与所述第一位线对连接的写入电路，其中，所述写入电路具备：将所述第一位线对中被所述第一选择电路选择出的位线的电位控制在第一电位的第一控制电路；和将所述选择出的位线的电位控制在比所述第一电位低的第二电位的可变电容电容器；所述可变电容电容器的电容根据所述可变电容电容器被施加的电压而发生变化，由此调整所述第二电位。
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