[发明专利]具有集成位线电容的NAND闪存有效
| 申请号： | 201080001812.8 | 申请日： | 2010-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102057440A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | C·郑;H·刘;B·李;Y·陆;D·塞迪亚蒂 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C11/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于从具有排列成行和列的多个非易失性存储单元的存储器阵列输出数据的方法和装置。根据多个实施例，电荷被储存于连接到存储器阵列的易失性存储单元中，且所存储的电荷然后从易失性存储单元通过选定的列释放。在一些实施例中，易失性存储单元是来自所述单元的行的动态随机存取存储器(DRAM)单元，其中沿该行的各个DRAM单元被耦合到存储器阵列中相应的列，且非易失性存储单元的各个列包括以NAND结构连接的闪存单元。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 电容 nand 闪存 | ||
【主权项】：
一种从包含排列成行和列的多个非易失性存储单元的存储器阵列输出数据的方法，所述方法包括：将电荷储存于连接至所述存储器阵列的易失性存储单元中；以及从所述易失性存储单元经由所述非易失性存储单元的选定列释放所储存的电荷。
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