[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其布局能够可靠地抑制因光接近效应引起的栅极长度的偏差，并且可以实现自由的布局设计。单元(C1)的栅极图案(G1、G2、G3)以相同间距配置，其终端部(e1、e2、e3)的Y方向的位置以及X方向的宽度相同。单元(C2)的栅极图案(G4)具有沿Y方向朝向单元(C1)延伸的突出部(4b)，该突出部(4b)构成了对置终端部(eo1、eo2、eo3)。对置终端部(eo1、eo2、eo3)与栅极图案(G1、G2、G3)以相同间距配置，并且对置终端部的Y方向的位置以及X方向的宽度相同。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一单元，其具有沿第一方向延伸，并且在与所述第一方向正交的第二方向以相同间距配置的三个以上的栅极图案；和第二单元，其与所述第一单元在所述第一方向上相邻；所述第一单元所具有的所述各栅极图案在与所述第二单元之间的单元交界附近终结，各终端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的宽度相同，所述第二单元具有被配置成在所述单元交界附近与所述第一单元所具有的所述各栅极图案的终端部对置的、由栅极图案构成的多个对置终端部，所述各对置终端部与所述第一单元所具有的所述各栅极图案在所述第二方向以相同间距配置，所述各对置终端部在所述第一方向相互位于相同的位置，并且所述第二方向上的宽度相同，所述多个对置终端部中的至少一部分，由从所述第二单元所具有的单一的第一栅极图案沿所述第一方向朝向所述第一单元突出的两个以上的突出部构成。