[发明专利]磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片有效
| 申请号： | 201080002962.0 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102187020A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 冲田恭子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B33/10;H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制电气特性的恶化，并且抑制PL特性的恶化的InP基板的制造方法、外延晶片的制造方法、InP基板及外延晶片。本发明的InP基板的制造方法包括如下步骤：准备InP基板(步骤S1～S3)；利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗InP基板(步骤S5)；在利用硫酸过氧化氢水溶液混合物进行清洗的步骤(步骤S5)后，利用磷酸清洗InP基板(步骤S6)。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 铟基板 制造 方法 外延 晶片 | ||
【主权项】：
一种磷化铟基板的制造方法，其包括如下步骤：准备磷化铟基板；利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗上述磷化铟基板；及在上述利用硫酸过氧化氢水溶液混合物进行清洗的步骤之后，利用磷酸清洗上述磷化铟基板。
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