[发明专利]缸筒的表面处理装置无效
申请号: | 201080003753.8 | 申请日: | 2010-07-01 |
公开(公告)号: | CN102264947A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 成瀬裕行;唐泽均;横尾健一 | 申请(专利权)人: | 本田技研工业株式会社 |
主分类号: | C23C18/31 | 分类号: | C23C18/31;C25D17/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种缸筒的表面处理装置,该装置处理缸筒的内表面。罩部件(32)在其下表面(59)具有多个密封环(54,55,56)。多个密封环(54,55,56)被设计成以所述缸筒(43,67)的中心轴(63)为中心的同心圆状。所述多个密封环(54,55,56)的下端的基准部被设计成具有高低差,以使相对于最靠近所述中心轴(63)的密封环(54),离中心轴(63)越远的密封环越处于高位。 | ||
搜索关键词: | 表面 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种缸筒的表面处理装置,将处理液供给到内燃机缸体的缸筒内以处理所述缸筒内表面,其特征在于,具有:以使衬垫面位于上方的方式支撑在托板上的所述缸体、放置在所述衬垫面上用于堵塞所述缸筒的上部开口的罩部件,所述罩部件在其下表面具有与所述衬垫面紧贴而防止所述处理液的泄漏的多个密封环,所述多个密封环具有可挠性,并且以所述缸筒的中心轴为中心被设置成同心圆状,所述多个密封环的下端的基准部被设计成具有高低差,使得相对于最靠近所述中心轴的密封环,离中心轴越远的密封环越位于高位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于本田技研工业株式会社,未经本田技研工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080003753.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理