[发明专利]用于生成激光束辐射轨迹的方法无效
| 申请号： | 201080005123.4 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN102292797A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 许一;崔弘赞;金渶桓 | 申请（专利权）人： | 韩美半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国仁*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体封装制程中产生激光束辐射轨迹的方法，该方法可于半导体封装制造期间，在半导体封装的铸模部分中自动、准确、及容易产生激光束辐射轨迹。根据本发明，该方法用于一半导体封装制程装置产生激光束辐射轨迹，该装置沿着一螺旋轨道靠多个洞辐射一激光束在半导体封装的铸模部分之上，其包括下列步骤：启用一激光束辐射装置的控制器，其中多个螺旋轨迹图案是按类型储存，以选择这些螺旋轨迹图案类型其中之一；输入该选定螺旋轨迹图案的信息，以产生螺旋轨迹；及输入一激光束辐射条件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生成 激光束 辐射 轨迹 方法 | ||
【主权项】：
一种处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法，使一半导体封装制造机沿着一螺旋轨迹辐射一激光束至所述半导体封装的一模具部分用以形成一通孔，所述方法包括以下步骤：(a)于一激光束辐射装置的一控制器内储存的多个螺旋轨迹图样类型中选择一图样类型；(b)通过输入与所选的螺旋轨迹图样相关的信息而生成一螺旋轨迹；及(c)输入与所述螺旋轨迹有关的激光束辐射条件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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