[发明专利]减少存储器装置中的泄漏电流有效
| 申请号： | 201080005309.X | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102292777A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 陈南;迈赫迪·哈米迪·萨尼;里图·哈巴 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示存储器装置和减少其中的泄漏电流的方法。所述存储器装置包括：存储器核心阵列，其包括多个位线；以及外围逻辑，其经配置以与所述存储器核心阵列介接。所述存储器装置进一步包括：脚开关，其经配置以使所述外围逻辑与接地电压隔离；以及头开关，其经配置以使预充电电流路径与所述存储器核心阵列的所述多个位线隔离。可经由所述脚开关和所述头开关所提供的所述隔离而减少所述存储器装置内的泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 存储器 装置 中的 泄漏 电流 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包含：存储器核心阵列，其包括多个位线；外围逻辑，其经配置以与所述存储器核心阵列介接；至少一个脚开关，其经配置以隔离所述外围逻辑；以及头开关，其经配置以使预充电电流路径与到所述存储器核心阵列的所述多个位线的供应电压隔离。
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