[发明专利]光电转换装置和照相机有效
| 申请号： | 201080006229.6 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102301474A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 池田一;蒲古欣尚;渡边高典;市川武史;下津佐峰生 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光电转换装置包括p型区域、在p型区域下面形成的n型埋置层、元件隔离区域、和至少覆盖元件隔离区域的下部部分的沟道阻断区域，其中，p型区域和埋置层形成光电二极管，并且，沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比埋置层的主要杂质的扩散系数小。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 照相机 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，包括：p型区域；n型埋置层，所述n型埋置层在所述p型区域下面形成；元件隔离区域；以及沟道阻断区域，所述沟道阻断区域至少覆盖所述元件隔离区域的下部部分，其中，所述p型区域和所述埋置层形成光电二极管，并且，所述沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比所述埋置层的主要杂质的扩散系数小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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