[发明专利]交叉点存储器结构及形成存储器阵列的方法

摘要

一些实施例包含交叉点存储器结构。所述结构可包含：第一电极材料的线条，其沿第一水平方向延伸；多边存取装置材料容器，其在所述第一电极材料上方；存储器元件材料，其在所述多边容器内；及第二电极材料的线条，其在所述存储器元件材料上方且沿正交于所述第一水平方向的第二水平方向延伸。一些实施例包含形成存储器阵列的方法。所述方法可包含在第一电极材料上方形成存储器单元堆叠，且接着将所述第一电极材料及所述存储器单元堆叠图案化成沿第一水平方向延伸的第一组间隔线条。可在所述第一组间隔线条上方形成第二电极材料的间隔线条，且其可沿正交于所述第一水平方向的第二水平方向延伸。

主权项

一种形成存储器阵列的方法，其包括：在基底上方形成第一电极材料；在所述第一电极材料上方形成存储器单元堆叠；所述存储器单元堆叠从所述第一电极材料起以升序包含第一绝缘体材料、至少一种额外绝缘体材料、导电材料及存储器元件材料；将所述第一电极材料及所述存储器单元堆叠图案化成主要沿第一水平方向延伸的第一组间隔线条；在所述第一组的所述间隔线条之间形成电介质材料；在所述第一组间隔线条上方及在所述电介质材料上方形成第二电极材料的间隔线条，第二电极材料的所述线条为第二组间隔线条且主要沿正交于所述第一水平方向的第二水平方向延伸；及从所述第二组的所述线条之间的区域移除所述存储器单元堆叠的存储器元件材料及导电材料以留下存储器单位单元阵列，个别存储器单位单元包括在所述第一电极材料与所述第二电极材料之间的所述存储器单元堆叠。