[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201080008722.1 | 申请日： | 2010-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN102326232A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 为本广昭 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/00;B23K26/073;B23K26/38;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体元件的制造方法，其目的在于以高精度分割含有基板的晶片。该半导体元件的制造方法，具有如下工序：激光照射工序，在构成晶片(1)的基板(10)的内部会聚脉冲激光，将在所述基板(10)的内部间隔开的多个加工部(12)沿着分割预定线形成，并且使龟裂(13)发生，该龟裂(13)从加工部(12)至少蔓延至基板(10)的表面且将邻接的加工部(12)连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割晶片(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，其中，具有：激光照射工序，在构成晶片的基板的内部会聚脉冲激光，将在所述基板的内部间隔开的多个加工部沿着分割预定线形成，并且使龟裂发生，该龟裂从所述加工部至少蔓延至所述基板的表面、且将邻接的所述加工部连接；晶片分割工序，沿着所述分割预定线分割所述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
