[发明专利]半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置无效

专利信息
申请号: 201080008948.1 申请日: 2010-02-15
公开(公告)号: CN102326250A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 佐藤敏宽;川田政和;米山正洋;高桥丰诚;出岛裕久;白石史广 申请(专利权)人: 住友电木株式会社
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L23/02;H01L27/14
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 崔香丹;洪燕
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体晶片接合体的制造方法,其特征在于,包括:准备具有支承基材和隔片形成层的隔片形成用膜的工序;将隔片形成用膜的隔片形成层粘贴于半导体晶片上的工序;在隔片形成用膜的支承基材侧设置掩模,并使用掩模以使曝光用光透过支承基材的方式,有选择性地对隔片形成层进行曝光的工序;去除支承基材的工序;对隔片形成层进行显影,在半导体晶片上形成隔片的工序;以及将透明基板接合于隔片的与半导体晶片相反的面上的工序。
搜索关键词: 半导体 晶片 接合 制造 方法 装置
【主权项】:
一种半导体晶片接合体的制造方法,用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板以及设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体,其特征在于,包括:隔片形成用膜准备工序,准备包含片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜;粘贴工序,将所述隔片形成用膜的所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的功能面上;曝光工序,在所述隔片形成用膜的所述支承基材侧设置掩模,并使用该掩模以使曝光用光透过所述支承基材的方式,有选择性地对所述隔片形成层中应成为所述隔片的部位进行曝光;支承基材去除工序,在所述曝光后去除所述支承基材;显影工序,对曝光后的所述隔片形成层进行显影,在所述半导体晶片上形成所述隔片;以及接合工序,将所述透明基板接合于所述隔片的与所述半导体晶片侧相反侧的面上。
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