[发明专利]具有多种IC封装构造的无引线阵列塑料封装有效
| 申请号： | 201080010590.6 | 申请日： | 2010-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102341899A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | J.麦米兰;S.P.佩伦;K.鲍威尔;A.冯 | 申请（专利权）人： | 优特香港有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 中国香港新*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种无引线集成电路(IC)封装，包括安装至管芯连接区域的IC芯片和电连接IC芯片的多个电触点。IC芯片、电触点和管芯连接区域都覆盖焊接材料，其中部分电触点和管芯连接区域从焊接材料的底表面凸出。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多种 ic 封装 构造 引线 阵列 塑料 | ||
【主权项】：
一种制造无引线集成电路(IC)封装的方法，包括：提供具有顶表面和底表面的引线框架带；除去部分所述引线框架带的顶表面以在其中形成凹陷，从而部分限定一种或多个管芯连接区域的上部和多个电触点的上部；使第一IC芯片安装至所述部分限定的一个或多个管芯连接区域的第一管芯连接区域中的所述引线框架带；使第二IC芯片安装在所述部分限定的一个或多个管芯连接区域的第二管芯连接区域中；在所述多个部分限定的电触点和所述第一IC芯片之间形成电连接；使用焊接层覆盖所述第一IC芯片、所述第二IC芯片、所述部分限定的一个或多个管芯连接区域、所述部分限定的电触点和所述电连接，所述焊接层填充所述凹陷；对应于所述部分限定的一个或多个管芯连接区域和所述多个部分限定的电触点，在所述引线框架带的底表面上形成抗蚀层；以及使用所述抗蚀层作为抗蚀掩模来选择性蚀刻所述引线框架带的底表面，从而通过部分所述引线框架带蚀刻以限定所述多个电触点的下部和所述一个或多个管芯连接区域的下部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优特香港有限公司，未经优特香港有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080010590.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能视力检查仪
- 下一篇：永磁体转子装置和生产这种装置的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
